تويت
إنتل تعيد اختراع ''الترانزستور'' باستخدام بنية ثلاثية الأبعاد
لأول مرة منذ اختراع ترانزستورات السليكون منذ أكثر من 50 عاماً، أعلنت شركة إنتل، إحدى شركات صناعة أجهزة الحوسبة في العالم، عن ابتكار ترانزستور ثلاثي الأبعاد .
وستطرح إنتل تصميم ترانزستور ثلاثي الأبعاد والذى يسمى ثلاثي البوابات (Tri-Gate)، وهو ما كانت قد كشفت عنه أول مرة سنة 2002، لتستخدمه في التصنيع بكميات كبيرة بتقنية 'عقدة 22 نانومتر' لاحقاً خلال العام الجاري لإنتاج رقاقة تعرف بالاسم الرمزي آيفي بريدج (Ivy Bridge)، يذكر أن النانومتر هو جزء من مليار جزء من المتر.
وتمثل الترانزستورات ثلاثية الأبعاد ثلاثية البوابات انتقالاً جذرياً من البنية المسطحة للترانزستورات ثنائية الأبعاد، والتي تعتبر حتى الآن المكون الأساسي في الحواسيب والهواتف النقالة وأجهزة الإلكترونيات الاستهلاكية، فضلاً عن عناصر التحكم الإلكترونية في السيارات وسفن الفضاء والأجهزة الكهربائية المنزلية والأجهزة الطبية والآلاف من الأجهزة التي نستعملها يومياً منذ عقود من الزمن.
وفي هذه المناسبة يقول بول أوتيلليني الرئيس والمدير التنفيذي لشركة إنتل: 'إن اختراعنا للترانزستورات ثلاثية البوابات وتوظيفها بسرعة ضمن الرقاقات المصنعة بتقنية 22 نانومتر هي نقلة نوعية ستغير المشهد كلياً، ومع الاختراعات الأخرى التي قدمتها إنتل مثل الترانزستورات ذات البوابة المعدنية ومعامل العزل العالي، والسليكون المُجهَد، عامي 2007 و 2003 على التوالي، ستساعد الترانزستورات الجديدة ثلاثية الأبعاد شركة إنتل على تحقيق خفض كبير في استهلاك الطاقة وكذلك في تكلفة تصنيع الترانزستور، وفي الوقت ذاته رفع مستوى الأداء'.
وأضاف أوتيلليني: ' وسيمكننا ذلك من تصنيع أفضل المنتجات في العالم لكل التطبيقات، من الأجهزة الكفية الصغيرة إلى أسرع الحواسيب الفائقة في العالم'.
وستمكّن الترانزستورات الثلاثية الأبعاد الرقاقات من العمل بتيارات ذات توتر أخفض مع تسرب أقل للطاقة، وتقدم بالتالي جمعاً غير مسبوق بين تحسين مستوى الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة مقارنة مع أفضل ترانزستورات الجيل السابق. وهذه الإمكانيات تمنح مصممي الرقاقات مرونة كبيرة لاختيار الترانزستورات الموجهة إما لاستهلاك منخفض للطاقة أو لتحقيق أداء عالٍ، وفقاً للتطبيق المطلوب.
تقدم الترانزستورات ثلاثية الأبعاد ثلاثية البوابات عيار 22 نانومتر زيادة في الأداء تصل إلى 37% مع تيار ذو توتر منخفض، مقارنة بالترانزستورات المسطحة التي تصنعها إنتل بتقنية 32 نانومتر.
ويعتبر هذا التقدم الهائل أنها مثالية للاستخدام في الأجهزة الكفية الصغيرة التي تعمل بطاقة أقل لتنتقل من وضع تشغيل لآخر، أما بالنسبة لاستهلاك الطاقة، فالترانزستورات الجديدة تستهلك أقل من نصف الطاقة عند مستوى الأداء ذاته بالمقارنة مع الترانزستورات المسطحة ثنائية الأبعاد عيار 32 نانومتر، ويستمر حجم الترانزستورات في التضاؤل جيلاً بعد جيل، وتصبح أقل تكلفة وأكثر كفاءة في استهلاك الطاقة، وذلك مواكبة لقانون مور .
لأول مرة منذ اختراع ترانزستورات السليكون منذ أكثر من 50 عاماً، أعلنت شركة إنتل، إحدى شركات صناعة أجهزة الحوسبة في العالم، عن ابتكار ترانزستور ثلاثي الأبعاد .
وستطرح إنتل تصميم ترانزستور ثلاثي الأبعاد والذى يسمى ثلاثي البوابات (Tri-Gate)، وهو ما كانت قد كشفت عنه أول مرة سنة 2002، لتستخدمه في التصنيع بكميات كبيرة بتقنية 'عقدة 22 نانومتر' لاحقاً خلال العام الجاري لإنتاج رقاقة تعرف بالاسم الرمزي آيفي بريدج (Ivy Bridge)، يذكر أن النانومتر هو جزء من مليار جزء من المتر.
وتمثل الترانزستورات ثلاثية الأبعاد ثلاثية البوابات انتقالاً جذرياً من البنية المسطحة للترانزستورات ثنائية الأبعاد، والتي تعتبر حتى الآن المكون الأساسي في الحواسيب والهواتف النقالة وأجهزة الإلكترونيات الاستهلاكية، فضلاً عن عناصر التحكم الإلكترونية في السيارات وسفن الفضاء والأجهزة الكهربائية المنزلية والأجهزة الطبية والآلاف من الأجهزة التي نستعملها يومياً منذ عقود من الزمن.
وفي هذه المناسبة يقول بول أوتيلليني الرئيس والمدير التنفيذي لشركة إنتل: 'إن اختراعنا للترانزستورات ثلاثية البوابات وتوظيفها بسرعة ضمن الرقاقات المصنعة بتقنية 22 نانومتر هي نقلة نوعية ستغير المشهد كلياً، ومع الاختراعات الأخرى التي قدمتها إنتل مثل الترانزستورات ذات البوابة المعدنية ومعامل العزل العالي، والسليكون المُجهَد، عامي 2007 و 2003 على التوالي، ستساعد الترانزستورات الجديدة ثلاثية الأبعاد شركة إنتل على تحقيق خفض كبير في استهلاك الطاقة وكذلك في تكلفة تصنيع الترانزستور، وفي الوقت ذاته رفع مستوى الأداء'.
وأضاف أوتيلليني: ' وسيمكننا ذلك من تصنيع أفضل المنتجات في العالم لكل التطبيقات، من الأجهزة الكفية الصغيرة إلى أسرع الحواسيب الفائقة في العالم'.
وستمكّن الترانزستورات الثلاثية الأبعاد الرقاقات من العمل بتيارات ذات توتر أخفض مع تسرب أقل للطاقة، وتقدم بالتالي جمعاً غير مسبوق بين تحسين مستوى الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة مقارنة مع أفضل ترانزستورات الجيل السابق. وهذه الإمكانيات تمنح مصممي الرقاقات مرونة كبيرة لاختيار الترانزستورات الموجهة إما لاستهلاك منخفض للطاقة أو لتحقيق أداء عالٍ، وفقاً للتطبيق المطلوب.
تقدم الترانزستورات ثلاثية الأبعاد ثلاثية البوابات عيار 22 نانومتر زيادة في الأداء تصل إلى 37% مع تيار ذو توتر منخفض، مقارنة بالترانزستورات المسطحة التي تصنعها إنتل بتقنية 32 نانومتر.
ويعتبر هذا التقدم الهائل أنها مثالية للاستخدام في الأجهزة الكفية الصغيرة التي تعمل بطاقة أقل لتنتقل من وضع تشغيل لآخر، أما بالنسبة لاستهلاك الطاقة، فالترانزستورات الجديدة تستهلك أقل من نصف الطاقة عند مستوى الأداء ذاته بالمقارنة مع الترانزستورات المسطحة ثنائية الأبعاد عيار 32 نانومتر، ويستمر حجم الترانزستورات في التضاؤل جيلاً بعد جيل، وتصبح أقل تكلفة وأكثر كفاءة في استهلاك الطاقة، وذلك مواكبة لقانون مور .